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インテル、高速／低発熱の新トランジスタ技術を発表へ - ZDNet Japan
http://japan.zdnet.com/news/hardware/story/0,2000052523,20092367,00.htm

従来のトランジスタと異なるのは、チャネルに使われているのがシリコンではなく、インジウム（In）とアンチモン（Sb）の化合物であるアンチモン化インジウムという点だ。これら2つは、元素周期表上の並びから、化学用語ではIII-V族元素と呼ばれている。

消費電力の低減に大きな寄与をするみたい。
発熱はコア数を増やす時のもっとも大きな障害の一つ。
マルチコアだのメニーコアだのって言っても、
発熱を減らせないと､クロックをあげて運用できないですからね。
コアを4個にしてクロック1/4でしょぼんとか。

LSI技術の研究動向
http://www.nistep.go.jp/achiev/ftx/jpn/stfc/stt016j/0207_03_special_issue/200207_si02/200207_si02.htm

チャネルそのものの材料をいじる技術は無かったようだ。
これからチャネルはどんどん細くなると思うけど､
狙ったところをIII-Vにするにはどうするんだろう？
狭くなって､数の問題が厳しいドープよりはいいんだろうけど。
ていうか､あんまり調べてねーからﾜｶﾝﾈｗ